SK海力士：9月底量产12层HBM3E

每日科技头条讯：9月4日，在Semicon Taiwan 2024展会期间，SK海力士总裁Kim Ju-Seon（Justin Kim）以“释放AI內存技术的可能性”为题，分享SK海力士现有DRAM产品和HBM相关产品。同时，他还宣布SK海力士将于本月底量产12层HBM3E，开启HBM关键战场。

Kim Ju-Seon指出，全世界媒体谈论AI、半导体和ChatGPT，这是新革命，但才刚开始。其中，中国台湾和韩国是全世界最重视半导体的两个地区，因此合作非常重要，除了对业务有好处，也能解决技术面临的诸多挑战。因为目前在AI挑战只处于第一级、未来会持续发展至第五级，届时AI能通过智力和情感层面与人类交流，但这一过程中，将会面临电力、冷却和內存带宽需求等方面的挑战。

目前AI面临的最大挑战是电力短缺，预期数据中心到时所需电力是目前的两倍，只靠可再生能源仍难以满足需求，电力增加的同时也会带来发热量的增加，因此需要找到更高效散热的方式。目前SK海力士也努力开发能效更高、功耗更低、容量更大的AI內存，并针对不同应用推出相对应解决方案。

Kim Ju-Seon表示，目前SK海力士最新的HBM产品是HBM3E，SK海力士也是最早生产8层HBM3E的供应商，并将在本月底开始大规模生产12层HBM3E。

从传输带宽来看，12层堆叠的HBM3E的带宽将会提升到36GB/s，而下一代的12/16层的HBM4的带宽将会进一步提升到48GB/s。

Kim Ju-Seon进一步指出，下一代的HBM4将是首款基于逻辑制程的基础裸晶（Base die）的产品，将以SK海力士先进的HBM技术搭配台积电先进代工技术，使HBM4达到无与伦比的地位，之后将按照客户需求进行量产。

除了已有的HBM3E外，SK海力士也介绍了目前最新的DIMM、企业级SSD（QLC eSSD）、LPDDR5T、LPDDR6、GDDR7产品。

针对全球制造布局，Kim Ju-Seon表示，目前SK海力士在韩国龙仁市建立新设施，2027年新厂将进行量产，使龙仁聚落成为最大、最先进的半导体聚落之一；同时，SK海力士也会到美国印第安纳州进行投资，计划2028年营运新厂，聚焦HBM先进封装技术。

最后Kim Ju-Seon表示，SK海力士将专注于AI业务，目标以AI为中心，以SK集团打造AI基础构架，整合电力、软件、玻璃基板、浸没式冷却技术，同时致力于成为生态系当中核心角色，与合作伙伴一同克服挑战，在AI时代实现目标。

编辑：芯智讯-林子 来源：technews